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这项新技术将摩尔定律扩展到5纳米,预计将取代蓝光。

加州大学伯克利分校的几位研究人员宣布,他们已开发出一种新的光刻技术,预计将在5纳米工艺中继续使用摩尔定律,并可取代目前的蓝光技术,如未来的光存储我做到了。计划。
该研究由伯克利机械工程系的两名教授Chang Shan和David Bogie领导。原则似乎很简单。在聚光透镜和光刻设备中的晶片之间添加第二机械臂。
从外部看,添加机械臂后的光刻设备的一般结构类似于当前的硬盘。
目前的光刻技术主要受激光波长的限制,193nm波长的DUV紫外激光技术正在接近其极限,下一步是采取13。
具有5 nm波长的EUV EUV光刻技术可以满足32 nm,22 nm和后续工艺技术的需求。
然而,使用这种短波长激光技术不可避免地导致光刻设备内的复杂光路并且成本高。
Berkeley的新技术“等离子光刻”的采用采用了不同的方法,利用金属电子在光接收中的湍流效应。
这种效应称为渐逝波,波长比入射光束短得多。
因此,研究人员在光刻设备上添加了一个可移动的金属臂,非常靠近晶片表面。顶部是金属等离子体“透镜”,其使用所执行的渐逝波效应。在传统光刻UV激光器的情况下,子聚焦提高了精度。
目前,该实验室已经成功地在100nm进行了理论验证测试,理论上该过程可以将过程从5nm增加到10nm。
据调查人员称,金属臂的“飞行高度”非常低,相当于波音747高出地面1毫米。
您也可以快速移动金属臂以完成大面积平版印刷。每个金属臂可容纳多达100,000个小镜头。被测设备每秒可以移动4到12米,并且光刻过程高速完成。
更重要的是,使用这种技术的成本非常低。
由于采用了二次方法,因此无需使用超短波长激光设备。多年来一直处于非活动状态的长波光刻设备可在添加金属臂机构后重复使用。唯一的高成本是等离子透镜的生产。
后来,随着新技术的商业化,成本迅速下降。
据研究人员称,这项技术有望在3 - 5年内进入工业应用领域。
除了半导体光刻设备领域之外,相同的技术原理可以用于光学存储以创建具有蓝光BD的10至20倍存储容量的新一代光盘技术。。
新的技术文件将发表在12月份的Nature Nanotechnology上。除了两位教授外,作者还包括他的研究生,包括“远望”和“成孙”等中国学生。
由测试设备雕刻的100nm图案


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